可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類。從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等。
　　
　　可控硅模塊的主要弱點(diǎn)是承受過(guò)電流和過(guò)電壓的能力很差，即使短時(shí)間的過(guò)流和過(guò)電壓，也可能導(dǎo)致可控硅模塊的損壞，所以必須對(duì)它采用適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)措施。下面就來(lái)看一下可控硅模塊的兩大保護(hù)措施：
　　
　　1.過(guò)電流保護(hù)
　　
　　可控硅模塊出現(xiàn)過(guò)電流的主要原因是過(guò)載、短路和誤觸發(fā)。過(guò)電流保護(hù)有以下三種：
　　
　　種是快速容斷器：快速容斷器中的溶絲是銀質(zhì)的，只要選用適當(dāng)，在同樣的過(guò)電流倍數(shù)下，它可以在可控硅模塊損壞前先溶斷，從而保護(hù)了晶閘管。
　　
　　第二種是過(guò)電流繼電器：當(dāng)電流超過(guò)過(guò)電流繼電器的整定值時(shí)，過(guò)電流繼電器就會(huì)動(dòng)作，切斷保護(hù)電路。但由于繼電器動(dòng)作到切斷電路需要一定時(shí)間，所以只能用作可控硅模塊的過(guò)載保護(hù)。
　　
　　第三種是過(guò)載截止保護(hù)：利用過(guò)電流的信號(hào)將可控硅模塊的觸發(fā)信號(hào)后移，或使可控硅模塊得導(dǎo)通角減小，或干脆停止觸發(fā)保護(hù)可控硅模塊。
　　
　　2.過(guò)電壓保護(hù)
　　
　　過(guò)電壓可能導(dǎo)致可控硅模塊的擊穿，其主要原因是由于電路中電感元件的通斷、熔斷器熔斷或可控硅模塊導(dǎo)通與截止間的轉(zhuǎn)換。對(duì)過(guò)壓保護(hù)可采用兩種措施：
　　
　　種：阻容保護(hù)
　　
　　第二種：硒堆保護(hù)