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          產(chǎn)品展示
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          英飛凌IGBT模塊FF600R12KE7

          英飛凌IGBT模塊FF600R12KE7

          型    號: FF800R12KE7
          報    價: 1888
          分享到:

          英飛凌IGBT模塊FF600R12KE7
          北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊;可控硅模塊;晶閘管;二極管模塊;整流橋模塊;PLC模塊;電容;變頻器備件
          第七代IGBT英飛凌FF600R12KE7

          詳細資料:

          英飛凌IGBT模塊FF600R12KE7

          北京京誠宏泰科技有限公司銷售英飛凌IGBT模塊;可控硅模塊;整流橋模塊;二極管模塊;晶閘管;IPM模塊

          產(chǎn)品參數(shù):

           

          FF800R12KE7  IGBT 模塊 溝槽型場截止 半橋 1200 V 800 A 底座安裝 AG-62MM 雙低飽和和快速溝槽 IGBT 模塊,

          帶有 TRENCHSTOP™ IGBT7 和發(fā)射極控制的 7 二極管。

          62 mm 1200 V, 800 A 低飽和壓降的Fast trench IGBT半橋模塊,采用TRENCHSTOP™ IGBT7和發(fā)射極控制第7代二極管。也可提供預涂導熱介質(zhì)版本。

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          產(chǎn)品規(guī)格:

          IGBT 類型:溝槽型場截止

          配置:半橋

          電壓 - 集射極擊穿:1200 V

          電流 - 集電極 (Ic):800 A

          電流 - 集電極截止:100 µA

          不同 Vce 時輸入電容 (Cies):122 nF @ 25 V

          輸入:標準

          NTC 熱敏電阻:無

          工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)

          安裝類型:底座安裝

          封裝/外殼:模塊

          供應商器件封裝:AG-62MM

          產(chǎn)品特征:

          高功率密度

          的 VCE,SAT

          Tvj op = 175°C 過載

          高爬電距離和電氣間隙

          符合 RoHS 標準

          4 kV AC 1 分鐘絕緣

          CTI > 400 的封裝

          通過 UL1557 E83336 獲得 UL/CSA 認證

          優(yōu)勢:北京京誠宏泰科技有限公司供應英飛凌IGBT模塊FF600R12KE7

          具有更高電流能力的現(xiàn)有封裝,允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率

          高功率密度

          避免 IGBT 模塊并聯(lián)

          通過簡化逆變器系統(tǒng)降低系統(tǒng)成本

          靈活性

          高的可靠性

          產(chǎn)品應用領域:

          不間斷電源(UPS)

          儲能系統(tǒng)

          電機控制和驅(qū)動

          商用、建筑和農(nóng)用車輛 (CAV)

          變頻器

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          IGBT是什么?

          IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

          IGBT與MOSFET的對比

          MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

          優(yōu)點:熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

          缺點:擊穿電壓低,工作電流小。北京京誠宏泰科技有限公司供應英飛凌IGBT模塊FF600R12KE7

          IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。

          特點:擊穿電壓可達1200V,集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上,工作頻率可達20kHz。

          IGBT的典型應用

          電動機

          不間斷電源

          太陽能面板安裝

          電焊機

          電源轉換器與反相器

          電感充電器

          電磁爐

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          第七代IGBT型號:

           

          FF900R12ME7P_ B11

          FF450R12ME7_ B11

          FF900R12ME7W_ _B11

          FF900R12ME7_ B11

          FF600R12ME7_ B11

          FF800R12KE7

          FF300R12ME7_ B11

          FF750R12ME7_ _B11

          FF750R17ME7D_ B11

          FF225R17ME7_ _B11

          FF1800R23IE7P

          FF1800R23IE7

           

          FF2400RB12IP7P

          FF2400RB12IP7

          F3L400R10W3S7F_ B11

          F3L600R10W4S7F_ C22

          FS3L200R10W3S7F_ B94

          F3L 400R10W3S7_ _B11

          FS3L200R10W3S7F_ B11

          FP15R12W1T7_ B3

          FP15R12W1T7

          FP15R12W1T7P_ B11

          FP25R12W2T7

          FP50R12W2T7_ B11

          FP25R12W1T7

          FP50R12W2T7

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          FP35R12W2T7

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          FP25R12W2T7_ B11

          FP15R12W1T7_ _B11

          FP10R12W1T7_ B3 .

          FP15R12W1T7P

          FP100R12W3T7 B11

           

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