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            SIEMENS西門子IGBT模塊6SY7000-0AB14

            IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小

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          • 6SY7000-0AE01西門子交流變頻器HV-IGBT模塊6SY7000-0AE01

            西門子交流變頻器HV-IGBT模塊6SY7000-0AE01

            西門子交流變頻器HV-IGBT模塊6SY7000系列

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          • 6SY7000-0AD50西門子IGBT模塊6SY7000-0AD04

            西門子IGBT模塊6SY7000-0AD04

            IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小, 西門子IGBT模塊6SY7000-0AD04

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